IPB110N06L G
ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

IPB110N06L G

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

Infineon Technologies

ເລະທີ່ສ່ວນ:

IPB110N06L G-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

MOSFET N-CH 60V 78A TO-263
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 60 V 78A (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2

ສິນຄ້າ:

13064136
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ

IPB110N06L G ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Infineon Technologies
ບັນທຶກ
-
ຊຸດ
-
ແພັກເກດ
Cut Tape (CT)
ສະຖານະພາບຂອງພາກສ່ວນ
Obsolete
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
11mOhm @ 78A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 94µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
79 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2700 pF @ 30 V
ລັກສະນະ FET
-
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
PG-TO263-3-2
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
IPB110N

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ບັນທຶກ HTML
ໃບບັດຂໍ້ມູນ

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ
1,000
ຊື່ ອື່ນໆ
IPB110N06LGINCT
IPB110N06LGINDKR
IPB110N06L G-ND
IPB110N06LGXT
SP000204193
IPB110N06LGINTR
IPB110N06LG

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

ແບບທີ່ແລກແລືອກ

ເນອະໄລະສິນຄ້າ
STB140NF55T4
ຜູ້ຜະລິດ
STMicroelectronics
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
989
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
STB140NF55T4-DG
ລາຄາຕໍານອນ
1.53
ປ່ແທນປະເພດ
MFR Recommended
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
BUK969R0-60E,118
ຜູ້ຜະລິດ
Nexperia USA Inc.
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
4690
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
BUK969R0-60E,118-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.76
ປ່ແທນປະເພດ
MFR Recommended
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
infineon-technologies

IRFI2807

MOSFET N-CH 75V 40A TO220AB FP

infineon-technologies

IRFS5620TRLPBF

MOSFET N-CH 200V 24A D2PAK

infineon-technologies

IRF7739L2TRPBF

MOSFET N-CH 40V 46A DIRECTFET

infineon-technologies

IRFR3303PBF

MOSFET N-CH 30V 33A DPAK